1、有電壓而無電流、或者有電流而無電壓。
無論是上述那一種情況，電源都已正常工作，操作者都應(yīng)該檢查自己的負(fù)載是否接觸良好，負(fù)載是否被短路或開路、負(fù)載是否符合規(guī)范等等。
極端來講，如果電源有電壓輸出（恒壓狀態(tài)），而負(fù)載線又?jǐn)嗔耍匀惠敵鲭娏骶偷扔诹懔恕Ｍ瑯樱绻娫从须娏鬏敵觯ê懔鳡顟B(tài)），而負(fù)載又短路了，自然輸出電壓就等于零了。
2、在調(diào)電壓時(shí)，空載電壓調(diào)不上去。
有些操作者喜歡把“電流調(diào)節(jié)”電位器左旋到頭，至使電源空載電壓也調(diào)不起來。這說明他對(duì)“電流調(diào)節(jié)”缺乏實(shí)質(zhì)性的理解。因?yàn)殡娫醇词固幱诳蛰d也要消耗一點(diǎn)點(diǎn)電流，而你把“電流調(diào)節(jié)”關(guān)到零，連一點(diǎn)點(diǎn)小電流都不放出來，當(dāng)然空載電壓也升不起來了。所以“電流調(diào)節(jié)”一般不要調(diào)到零，（向右調(diào)到四分之一圈左右就不會(huì)發(fā)生以上情況了）。
3、電源有電壓輸出，也有電流輸出，再調(diào)電壓，電壓就調(diào)不上去了；或者電源有電壓輸出也有電流輸出，再想把電流調(diào)大點(diǎn)，電流就調(diào)不大了。
這是由于操作者對(duì)“恒壓”、“恒流”的概念不甚清楚的原因。如果“恒壓”燈亮,說明電源工作在恒壓狀態(tài),(可以認(rèn)為電壓占主動(dòng)地位)。這時(shí)的輸出電流的大小,是由負(fù)載決定的,而不是由操作者調(diào)出來的,(可以說電流是占被動(dòng)地位)，如果這時(shí)去右旋“電流調(diào)節(jié)”旋鈕,電流是不會(huì)增大的。但這時(shí)去右旋“電壓調(diào)節(jié)”旋鈕，輸出電壓是會(huì)升高，輸出電流也會(huì)隨之升高的。（電壓是主，電流是從）。
同理，如果“恒流”燈亮，說明電源工作在恒流狀態(tài)，這時(shí)的輸出電壓也不是“調(diào)”出來的，而是由負(fù)載決定的。只有去調(diào)節(jié)“電流調(diào)節(jié)”旋鈕，輸出電流才會(huì)改變，輸出電壓也隨之變化。（這里電流是主，電壓是從）。
總之，要弄清主從關(guān)系。電源處于“恒流”狀態(tài)時(shí)去調(diào)電流，處于“恒壓”狀態(tài)時(shí)去調(diào)電壓，才能改變負(fù)載上的電壓和電流。
高頻電鍍電源電鍍加工原理與組成
高頻電鍍電源電鍍?cè)恚?
用電解的方法將金屬沉積于導(dǎo)體(如金屬)或非導(dǎo)體(如塑料、陶瓷、玻璃鋼等)表面，從而提高其耐磨性,增加其導(dǎo)電性,并使其具有防腐蝕和裝飾功能。對(duì)于非導(dǎo)體制品的表面，需經(jīng)過適當(dāng)?shù)靥幚恚ㄓ檬?dǎo)電漆、化學(xué)鍍處理，或經(jīng)氣相涂層處理），使其形成導(dǎo)電層后,才能進(jìn)行電鍍。電鍍時(shí),將被鍍的制品接在陰極上，要鍍的金屬接在陽極上。電解液是用含有與陽極金屬相同離子的溶液。通電后，陽極逐漸溶解成金屬正離子，溶液中有相等數(shù)目的金屬離子在陰極上獲得電子隨即在被鍍制品的表面上析出，形成金屬鍍層。例如在銅板上鍍鎳，以含硫酸鎳的水溶液作電鍍液。通電后，陽極上的鎳逐漸溶解成正離子，而在陰極的銅板表面上不斷有鎳析出。
電鍍電源是將工頻交流電變換為不同電壓、頻率和波形的直流電設(shè)備。在晶閘管整流器中主要應(yīng)用“整流”技術(shù)，在高頻開關(guān)電源中既應(yīng)用“整流”技術(shù)又應(yīng)用“逆變”技術(shù)。電鍍電源主要由主電路和控制電路組成。
主電路主要包括主變壓器、功率整流器件和一些檢測(cè)、保護(hù)裝置等。電鍍電源中的主變壓器是將交流電源電壓降低為電鍍工藝所需要的電壓值。晶閘管整流器中使用的是工頻(50Hz)變壓器，高頻開關(guān)電源中使用的是高頻(10～50kHz)變壓器。檢測(cè)裝置包括電壓表、電流互感器等。保護(hù)裝置主要是用于功率整流器件的過流保護(hù)。
控制電路主要包括晶閘管或IGBT等的觸發(fā)控制電路，電源的軟啟動(dòng)電路，過流、過壓保護(hù)電路，電源缺相保護(hù)電路等。
高頻開關(guān)電源與可控硅整流器的區(qū)別
8000A/18V為例比較參數(shù)
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電壓和陽極電流密度的影響
鋁制件通電氧化時(shí)，開始時(shí)很快在鋁制件表面生成一層薄而致密的氧化膜；隨之電阻增加電壓急劇升高，陽極電流密度逐漸減小。電壓繼續(xù)升高至一定值時(shí)，氧化膜因受電解液的溶解作用在較薄弱部位開始被電擊穿，促使電流通過，氧化過程繼續(xù)進(jìn)行。
鋼筆-陽極氧化能夠帶來豐富的色彩
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雜質(zhì)不利于陽極表面合金中含銅、硅等元素時(shí)，隨著氧化過程的進(jìn)行，同樣由于在電解液中的陽極溶解作用，使合金元素Cu2+, Si2+不斷集聚。當(dāng)Cu2+含量達(dá)0.02g/L時(shí)，氧化膜上會(huì)出現(xiàn)暗色條紋或黑色斑點(diǎn)。
電解液中可能存在的雜質(zhì)是Cl-、F-, N03-和Al3+, Cu2+、Fe2+等離子。當(dāng)Cl-,F-、N03-等陰離子雜質(zhì)含量高時(shí)，氧化膜的孔隙率大大增加，氧化膜表面變得粗糙和疏松。
這些雜質(zhì)在電解液中的允許含量為Cl- <0.05g/L, F- < 0.01 g/L。當(dāng)超過這極限值，制品表面會(huì)發(fā)生穿孔而報(bào)廢。這些陰離子雜質(zhì)來自配制電解液和清洗工序中的水源，因此必須嚴(yán)格控制水質(zhì)。
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電解液混濁度的負(fù)面影響
陽極氧化時(shí)，電解液的混濁度對(duì)氧化膜表面光亮度影響極大。
通常，硫酸氧化膜是透明的，它的主要成分是Al2O3。多孔狀的氧化膜具有極大的吸附性能，利用這一特點(diǎn)將鋁和鋁合金表面進(jìn)行各種色彩圖案花紋的裝飾。
若在電解液中含有各種不透明的固態(tài)混濁物，也被吸附填充到膜孔中去，會(huì)使氧化膜透明度下降，膜層的反光率受到阻擋，從而影響氧化膜的光亮度。
混濁物來源于鋁制件前處理不良和清洗水質(zhì)不凈，或由于陰陽極反應(yīng)劇烈與溶液的對(duì)流作用使雜質(zhì)不易沉淀于缸底，被分散懸浮在電解液中，電解液透明度較差，甚至不透明并帶有一定的色澤。因此，對(duì)那些外觀要求較高的鋁制品，在氧化過程中，必須對(duì)電解液進(jìn)行連續(xù)過濾。
304不銹鋼圓棒：具有良好的耐蝕性，耐熱性，低溫強(qiáng)度和機(jī)械特性，沖壓，彎曲等熱加工性好，無熱處理硬化現(xiàn)象。用途：餐具，櫥柜，鍋爐，汽車配件，醫(yī)療器具，建材，食品工業(yè)（使用溫度-196°C-700°C) 300系列不銹鋼圓棒 310不銹鋼圓棒：主要特點(diǎn)是:耐高溫,一般使用鍋爐內(nèi),汽車排氣管.其他性能一般. 303不銹鋼圓棒：通過添加少量的硫、磷使其較304更易切削加工，其他性能與與304相似。
302不銹鋼圓棒：302不銹鋼棒廣泛用于汽車配件、航空、航天五金工具，化工。具體如下：工藝品，軸承，滑花，醫(yī)療儀器，電器等。特性：302不銹鋼球?qū)儆趭W氏體型鋼，與304比較接近，但是302的硬度更高一些，HRC≤28，具有良好的防銹及防腐性 301不銹鋼圓棒：延展性好，用于成型產(chǎn)品。也可通過機(jī)械加工使其迅速硬化。焊接性好。抗磨性和疲勞強(qiáng)度優(yōu)于304不銹鋼。 200系列不銹鋼圓棒詳解：202不銹鋼圓棒：屬于鉻-鎳-錳 奧氏體不銹鋼，性能優(yōu)于201不銹鋼 201不銹鋼圓棒：屬于鉻-鎳-錳 奧氏體不銹鋼，磁性比較低 400系列不銹鋼圓棒詳解：410不銹鋼圓棒：屬于馬氏體"高強(qiáng)度鉻鋼"，耐磨性好，抗腐蝕性較差。 420不銹鋼圓棒：―刃具級(jí)‖馬氏體鋼，類似布氏高鉻鋼這種早的不銹鋼。也用于外科手術(shù)刀具，可以做的非常光亮。
不銹鋼電解拋光廢水處理設(shè)備設(shè)備功能：
一體試設(shè)計(jì)制作；
只包括電解拋光、一次清洗、鈍化、二次清洗四個(gè)加工流程；
陰極板使用石墨作為制作材料；
配備工件陰極短路擊傷防護(hù)罩；
電解拋光液加熱選用PTFE材質(zhì)的電加熱器；
配制空氣攪拌裝置；
可做成可移動(dòng)式，方便客戶移動(dòng)使用。
專業(yè)提供各類化學(xué)清洗、酸洗鈍化、電解拋光、電鍍、鋁氧化等污水處理成套設(shè)備。排水滿足《電鍍污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（GB21900-2008）》中排放各指標(biāo)。
根據(jù)對(duì)客戶排放污水成分進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)針對(duì)性強(qiáng)，運(yùn)行成本更低，并可根據(jù)客戶要求達(dá)到"零排放標(biāo)準(zhǔn)“。
經(jīng)過實(shí)際運(yùn)行計(jì)算，綜合處理成本可控制在30元/噸以內(nèi)。
精度不銹鋼件電解拋光加工，嚴(yán)格控制加工電流密度（誤差±1A/dm2），水溫度（誤差±1 ℃），和加工時(shí)間（誤差±0.1 s），加工尺寸精度低可控制在2-3um以內(nèi)。
